主讲人：赵泽夫
开始时间：4月12日16:00
地点：开云全站中国有限公司2楼祥联厅
报告人简介：
赵泽夫，台湾大学博士生，博士候选人，致力于先进FE存储元件，GAA逻辑元件与高性能电容元件开发的研究工作。其研究成果以第一作者发表在IEEE VLSI 2023/2024(已被接收) 国际顶会，IEEE EDL/TED国际期刊。荣获台湾未来科技奖，台湾大学杰出研究奖，台湾大学1975级电机系系友科技研究创新奖和2023 VLSI TSA Best Student Paper Award。
报告内容简介：
氧化鉿鋯(HZO) 作为先进铁电材料，被业界广泛认可并应用于下一代存储元件。存储芯片大厂micron 2023 IEDM发表FeDRAM，海力士在2023 VLSI发表Fe 3D-NAND。铁电元件已经成为国际热点研究，但是其均匀性和可靠性仍然是挑战。本次报告将分享其与旺宏电子之校企合作项目，利用CMP处理元件表面，提高平整度，制作出高均匀性与可靠性铁电元件，该成果已经被2024 IEEE VLSI接收。
